Jeżeli zmienimy biegunowość doprowadzonego napięcia, to wytworzone pole dodatnie będzie miało zwrot przeciwny do zwrotu pola ładunków przestrzennych złącza. Spowoduje to obniżenie bariery potencjału. Elektrony w półprzewodniku n będą odpychane przez biegun ujemny źródła w kierunku złącza i wobec obniżonej bariery potencjału przekroczą złącze. Dziury w półprzewodniku p będą odpychane przez biegun dodatni źródła w kierunku złącza. Przy tym nastąpi wydatne zmniejszenie rezystancji złącza p-n i przepływ prądu przez złącze, kierunek ten od p do n nazywamy kierunkiem przewodzenia. A zatem złącze p-n ma właściwość jednokierunkowego przewodzenia prądu podobnie do diody próżniowej. Właściwość tę wykorzystano do budowy diod półprzewodnikowych (złączowych).